引言

VIPer53是新一代高度集成的離線開關(guān)集成電路，采用ST公司的縱向智能功率專利技術(shù)(VlPower)，具有很高的集成度，內(nèi)置一個采用多重漏極網(wǎng)格工藝(MD—Mesh)的功率MOSFET，目標應(yīng)用包括機頂盒、DVD影碟機、錄像機的電源變換器以及電視、PC機和旅行適配器內(nèi)的輔助電源。VIPer53采用片上系統(tǒng)，同一個封裝內(nèi)包含有系統(tǒng)的控制部分和功率MOSFET。這種新的封裝工藝滿足r所有的單片集成電路無法滿足的應(yīng)用需求，特別是對那些功率要求不斷提高而專用熱設(shè)計成本控制愈加嚴格的電力變換器。本文采用VIPer53設(shè)汁了一種30W機頂盒專用開關(guān)電源，給出了設(shè)計方法和實驗結(jié)果。
1 VIPer53的工作原理

VIPer53集成了增強型電流模式PWM控制器和一個高壓MD.Mesh功率MOSFET。VIPer53內(nèi)部結(jié)構(gòu)如圖1所示，包括開關(guān)電路一次側(cè)所需的全部模塊：控制部分包括該變換器啟動用高壓電流源、脈寬調(diào)制驅(qū)動器和各種保護功能，如過壓保護、熱關(guān)機、逐周限流和負載保護，功率MOSFET的最小擊穿電壓為620 V，通態(tài)電阻RDSFET在25％時為1Ω。引腳VDD為控制電路的電源，在啟動階段為外部相連的電容充電，包含4個闖值電壓。VDDcm為開啟電壓，典型值為11．5V:VDDoff為關(guān)機電壓，典型值為8．4V；VDDreg為原邊反饋工作的電壓起始點，精準15 V；VDDovp為過壓保護電壓，典型值為18V。引腳SOURCE為功率MOSFET的源級和電路參考地。引腳DRAIN為功率MOSFET的漏級，連接高頻變壓器的原邊繞組，在上電階段被內(nèi)部高壓電流源利用，為引腳VDD外部電容充電。引腳TOVL連接一個外部電容用于產(chǎn)生過載保護延時，引腳COMP上的電壓大于4 35 v時過載保護發(fā)生。引腳OSC通過外部連接的阻容網(wǎng)絡(luò)RT一CT定開關(guān)頻率。引腳COMP為電流模式結(jié)構(gòu)的輸入和內(nèi)部誤差放大器的輸出，允許通過外部無源網(wǎng)絡(luò)設(shè)定該SMPS的動態(tài)特性，可用的電壓范圍為O．5～4．5V。低于O．5 V時功率MOSFET關(guān)閉，高于4．35V時過壓保護發(fā)生，該動作延時時間長短由與引腳T0VL相連的定時電容大小決定。

通過連接OSC引腳的電阻一電容網(wǎng)絡(luò)，可以從外部設(shè)置開關(guān)頻率，最高可以設(shè)定到300kHz。當開關(guān)電源上電時，位于漏極引腳和腳VDD之間的內(nèi)部高壓電流源為器件供電，并向一個連接VDD外部電容器充電。當VDD電壓達到電壓闖值VDDon時，內(nèi)部高壓電流源關(guān)閉，器件開始正常操作，由高頻變壓器輔助繞組繼續(xù)為VIPer53器件供電。

VIPer53的反饋控制系統(tǒng)屬于電流控制，通過腳COMP實現(xiàn)系統(tǒng)功能。該控制是指將流經(jīng)功率MOSFET及回掃變壓器的電流與調(diào)節(jié)電路的輸出電壓產(chǎn)生的反饋信號進行比較，比較的結(jié)果決定確定MOSFET的導通時間。

VIPer53的優(yōu)點首先是在空載條件下將能耗降低到近乎零，使電源制造商可以達到新的更加嚴格的生態(tài)標準，如“能源之星計劃”；其次，因為通態(tài)電阻RDS(on)低，功率變換效率明顯提高，而且無需使用散熱器，從而避免了制造成本的增加。典型情況下，DIP一8封裝可輸出功率30W，Power—SO一10封裝可輸出功率40W，使用電壓范圍為ACR5～265V。

VlPer53的一個重要功能是指通過腳TOVL完成的過載延時。如果引腳COMP電壓超過4.35V，過載保護就會啟動，連接引腳TOVL的外部電容器就開始充電，同時MOSFET開始不斷地開關(guān)操作。在這個期間，漏極電流限制在1．6A。如果過載狀態(tài)維持不變，待TOVL電容電壓達到閾值電壓VOVLth,MOSFET關(guān)斷。此時，VDD電壓下降，當達到VDDoff閩值電壓時，內(nèi)部高壓電流源接通，則一個新的啟動周期開始。如果過載或短路狀態(tài)繼續(xù)存在，VIPer53將進入無休止的重啟序列。引腳TFOVL的外接電容充電時間為延時時間，該時間tOVL必須大于該開關(guān)電源的啟動時間tss因為這段時間內(nèi)輔助繞組無法向系統(tǒng)提供充足的電能。

2 機頂盒電源的要求

在數(shù)字機頂盒的所有功能模塊中，從接收器、32位微處理器、不同偏壓的數(shù)字電路到周邊設(shè)備，以及輸入／輸出電路，都各有特定的電源電壓要求。數(shù)字機頂盒使用數(shù)字信號處理器(DSI，)和微處理器(MPU)并且支持嵌入式操作系統(tǒng)以滿足當今嵌入式音頻、視頻和通信應(yīng)用對高速運算和低功耗的要求。為了充分發(fā)揮動態(tài)電源管理能力，部分處理器內(nèi)部集成有一個片內(nèi)開關(guān)穩(wěn)壓器，它利用2．25～3．6V外接電源電壓可產(chǎn)生0．7～1．2 V可設(shè)置的內(nèi)核工作電壓，從而節(jié)省了外部電源元器件。在機頂盒供電中，除了+3 3V以及+5V輸出為數(shù)字信號處理器、微處理器等控制芯片組供電外，還需要+12V、+24V和+30V輸出，例如在新一代機頂盒中，很多外設(shè)如硬盤、DVD等，都需要+12V電源。對于機頂盒電源而言，由于輸出功率高，輸出路數(shù)多，而且由于線性穩(wěn)壓電源的效率低、適應(yīng)電網(wǎng)電壓范圍窄，穩(wěn)壓性能差、笨重等，趨向于采用技術(shù)成熟的開關(guān)電源。

3 30W機頂盒開關(guān)電源高頻變壓器的設(shè)計

一種5路輸出的機頂盒電源的技術(shù)指標如下：

1)輸出3.3V／2A；
2)輸出5.V／l A：
3)輸出12V／100mA；
4)輸出24V／500mA；
5)輸出30V／50 rnA；
6)總功率輸出接近30W。

利用反激式開關(guān)電源的高頻變壓器一般設(shè)計方法或?qū)Ｓ玫腣IPERSCOFT軟件設(shè)計機頂盒的高頻變壓器。輔助繞組用來提供15V工作電壓，由于與腳VDD相連的誤差放大器設(shè)定值為15V，因此副邊繞組的匝數(shù)必須通過副邊繞組與輔助繞組匝數(shù)比來建立。首先選定原級與電壓輸出最低的次級的匝比，Np／NoL，然后計算每匝電壓值V1,V1=(VOL十VD)／NoL,VD為二極管正向?qū)▔航担琍N結(jié)二極管取O．7V，肖特基二極管取O．4V。最終確立了一組高頻變壓器參數(shù)，如圖2所示。

技術(shù)要求：磁芯為EE28立式，磁芯材料為PC40。變壓器經(jīng)過油浸處理，各個繞組之間的絕緣耐壓不低于AC 2500V，lmin；各層之間的絕緣電壓不低于AC 1500V，l min。所有線圈與外殼絕緣電壓不低于AC 2500V，lmin。

4 機頂盒開關(guān)電源的電路設(shè)計

VIPer53與外圍器件以及整個變壓器輸入側(cè)與輸出側(cè)電路與參數(shù)如圖3所示。輔助繞組通過二極管DlD直接向VIPer53提供穩(wěn)定15V電壓。過載延時電路由腳TOVL外R2D”和C3D組成，器件參數(shù)確保了延時時間大于該開關(guān)電源的啟動時間。增強電流模式控制外圍電路由R3D、C4D與C5D構(gòu)成，能夠設(shè)置該開關(guān)電源的動態(tài)特性。

輸入EMI濾波器采用共模線圈、共模和差模電容構(gòu)成的濾波網(wǎng)絡(luò)，能夠同時濾除差模和共模干擾，見圖3所示的電源輸和入端。電源輸入端增加了一個NTC電阻，以便限制系統(tǒng)上電時涌流的幅值。高頻變壓器原級采用標準的RCD鉗位電路，也可以采用TRANSIL電路來降低待機損耗。電容ClE和C2F用于降低高頻變壓器的產(chǎn)生共模干擾。開關(guān)頻率為100kHz，通過電阻RlD和ClD—n設(shè)定。在待機和輕載時，內(nèi)置突發(fā)模式電路能夠跳過一些開關(guān)周期，降低等效的開關(guān)頻率。根據(jù)腳COMP的電壓大小，VIPer53提供一個雙值消隱時間，即電壓為0．5 V和lV時消隱時間為150 ns和400ns。